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  • 三菱IPM PM50RSD120智能IGBT模塊PM50RSD120

    智能IGBT模塊PM50RSD120,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優選的門級驅動及保護電路構成其中,PM50RSD120,IGBT是GTR和MOSFET的復合,由MOSFET驅動GTR,因而IGBT具有兩者的優點。IPM根據內部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內部封裝一個IGBT)、D型(內部封裝兩個IGBT)、C型(內部封裝六個IGBT)和R型(內部封裝七個IGBT)。

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  • 三菱IPM PM50CSE120智能IGBT模塊PM50CSE120

    智能IGBT模塊PM50CSE120,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優選的門級驅動及保護電路構成其中,PM50CSE120,IGBT是GTR和MOSFET的復合,由MOSFET驅動GTR,因而IGBT具有兩者的優點。IPM根據內部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內部封裝一個IGBT)、D型(內部封裝兩個IGBT)、C型(內部封裝六個IGBT)和R型(內部封裝七個IGBT)。

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  • 三菱IPM PM50RSE120智能IGBT模塊PM50RSE120

    智能IGBT模塊PM50RSE120,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優選的門級驅動及保護電路構成其中,PM50RSE120,IGBT是GTR和MOSFET的復合,由MOSFET驅動GTR,因而IGBT具有兩者的優點。IPM根據內部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內部封裝一個IGBT)、D型(內部封裝兩個IGBT)、C型(內部封裝六個IGBT)和R型(內部封裝七個IGBT)。

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  • 三菱IPM PM50CSA120智能IGBT模塊PM50CSA120

    智能IGBT模塊PM50CSA120,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優選的門級驅動及保護電路構成其中,PM50CSA120,IGBT是GTR和MOSFET的復合,由MOSFET驅動GTR,因而IGBT具有兩者的優點。IPM根據內部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內部封裝一個IGBT)、D型(內部封裝兩個IGBT)、C型(內部封裝六個IGBT)和R型(內部封裝七個IGBT)。

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  • 智能模塊PM50RHA120三菱IPM模塊PM50RHA120

    三菱IPM模塊PM50RHA120,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優選的門級驅動及保護電路構成其中,PM50RHA120,IGBT是GTR和MOSFET的復合,由MOSFET驅動GTR,因而IGBT具有兩者的優點。IPM根據內部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內部封裝一個IGBT)、D型(內部封裝兩個IGBT)、C型(內部封裝六個IGBT)和R型(內部封裝七個IGBT)。

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  • 智能模塊PM50CLA120三菱IPM模塊PM50CLA120

    三菱IPM模塊PM50CLA120,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優選的門級驅動及保護電路構成其中,PM50CLA120,IGBT是GTR和MOSFET的復合,由MOSFET驅動GTR,因而IGBT具有兩者的優點。IPM根據內部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內部封裝一個IGBT)、D型(內部封裝兩個IGBT)、C型(內部封裝六個IGBT)和R型(內部封裝七個IGBT)。

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  • 智能模塊PM50RSA120三菱IPM模塊PM50RSA120

    三菱IPM模塊PM50RSA120,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優選的門級驅動及保護電路構成其中,PM50RSA120,IGBT是GTR和MOSFET的復合,由MOSFET驅動GTR,因而IGBT具有兩者的優點。IPM根據內部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內部封裝一個IGBT)、D型(內部封裝兩個IGBT)、C型(內部封裝六個IGBT)和R型(內部封裝七個IGBT)。

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  • 智能模塊PM75CSA120三菱IPM模塊PM75CSA120

    三菱IPM模塊PM75CSA120,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優選的門級驅動及保護電路構成其中,PM75CSA120,IGBT是GTR和MOSFET的復合,由MOSFET驅動GTR,因而IGBT具有兩者的優點。IPM根據內部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內部封裝一個IGBT)、D型(內部封裝兩個IGBT)、C型(內部封裝六個IGBT)和R型(內部封裝七個IGBT)。

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